高價回收庫存顯存顆粒H5GQ1H24AFR-T2L DDR5 32M*32
深圳市福田區(qū)億泰輝電子商行
趁此機會，hpe(原惠普企業(yè)部門)也推出了新一代服務器proliant dl385 gen10，搭載amd epyc處理器，全球一家配備了三星的這種64gb大內(nèi)存，雙路32條插槽，總內(nèi)存2tb。
同時還有一款單路的hpe proliant dl325 gen10，16條插槽，總內(nèi)存也有1tb。
hpe透露，新內(nèi)存可以帶來16％的性能提升。
三星還透露，很快就會開始試產(chǎn)16gb die顆粒的256gb內(nèi)存條，使用四rank、八rank tsv技術，預計今年年底完成，可以為雙路服務器提供8tb的系統(tǒng)內(nèi)存。
三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球個開始量產(chǎn)基于16gb(2gb) die顆粒的新一代64gb ddr4 rdimm內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務應用。
三星表示，這條內(nèi)存的標準頻率為2666mhz，后續(xù)還可以輕松提升，同時功耗比兩條32gb的節(jié)省多達19％。
三星這種大容量內(nèi)存主要面向amd epyc服務器平臺，因為后者內(nèi)存擴展性能極佳，支持八通道，每路配16條內(nèi)存插槽，使用這種64gb內(nèi)存條的話，總容量就可以達到2tb。
據(jù)臺灣媒體報道，爾必達計劃投資30億元新臺幣（約9550萬美元）在臺灣投建研發(fā)中心。報道引自臺灣當局官員的表述稱，爾必達已經(jīng)向他們提出了補貼申請，以幫助投建該研發(fā)中心。為了獲得臺灣合作伙伴在產(chǎn)能上的支持，爾必達已經(jīng)向力晶半導體、華邦、茂德授權了有關dram處理工藝。
號外！爾必達新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶
采用爾必達ddr3顆粒的記憶內(nèi)存
號外！爾必達新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶
采用爾必達ddr3顆粒的記憶內(nèi)存
另據(jù)有消息稱，在爾必達顆粒制程調(diào)整后，66-62nm顆粒推出后首供記憶內(nèi)存使用。致力服務于國內(nèi)oem電腦生產(chǎn)廠商內(nèi)存提供商的記憶內(nèi)存，其內(nèi)存專門供應聯(lián)想、方正、長城、nec、同方、實達、浪潮、海信、海爾、tcl等廠商。其精湛做工和穩(wěn)定的性能，長久以來博得了眾多電腦廠商的認可。
號外！爾必達新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶
產(chǎn)品外觀介紹
以前提到服務器內(nèi)存條，大家往往會想到出色的做功和良好的穩(wěn)定性。事實確實如此，為了保障服務器或個人工作站的不間斷運行，服務器內(nèi)存在做功和用料上都不惜工本，價格也是普通用戶所無法接受的。近日，我們zol評測室收到了由創(chuàng)見廠商送測的一款ddr2 800ecc 1gb服務器專用內(nèi)存條，閑話少說讓我們先來飽飽眼福。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存條正面
這款創(chuàng)見ddr2 800ecc 1gb內(nèi)存采用鎂光內(nèi)存顆粒，6層綠色pcb板與18顆（正反雙面）64mb內(nèi)存顆粒所組成，具備ecc（error correction code）內(nèi)存?zhèn)慑e技術，屬于工作站與服務器領域選用的高端產(chǎn)品。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存條被面
ecc自動除錯功能 (error-correcting code)
一種含有特殊電路，能夠自我檢查錯誤及更正的內(nèi)存，可自動修復0與1的訊號，在芯片內(nèi)以開/關在傳輸時的一些錯誤。相較常見的parity check除錯功能，ecc具備更高的可靠性。因為當數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤時，parity check只有50%的機會可以偵察得到，命中率不高，而ecc相對可以滿足高階使用者對數(shù)據(jù)可信度的需求。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測 鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
標簽及防偽標志
在內(nèi)存條左側貼有內(nèi)存規(guī)格標簽，標簽上面印有內(nèi)存容量1gb、規(guī)格ddr2 800mhz ecc、sn編號140095-0003、條形碼等信息。大家注意看在條形碼右側的rohs的英文，說明該產(chǎn)品不含有鉛的成份，符合歐盟的環(huán)保標準。右側貼有創(chuàng)見的鐳射防偽標簽，如果標簽撕毀將失去產(chǎn)品的質(zhì)保。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
顆粒特寫
大家都了解目前am2 k8處理器內(nèi)部集成ddr2內(nèi)存控制器，因此ddr2內(nèi)存超頻已成為國內(nèi)外發(fā)燒友討論的焦點話題。這款創(chuàng)見內(nèi)存所采用的是鎂光d9顆粒，采用fgba封裝，這個顆粒也正是目前各大論壇內(nèi)存超頻板塊討論的焦點，這個顆粒的性能到底怎樣呢？讓我們來一同揭開它的神秘面紗。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存組圖
品牌：摩托羅拉 內(nèi)存 回到頂部閱讀鎂光d9顆粒超頻實戰(zhàn)
作為標準的ddr2內(nèi)存的測試平臺，主要配件是一顆lga775接口intel p4 ee3.46g處理器，它的前端總線是1066mhz,512kb的l2,2mb的l3。主板我們使用的是華碩的p5wd2 premium，該款主板的特點是bios超頻調(diào)節(jié)選項比較豐富，在內(nèi)存異步條件下高可以支持ddr2 900的內(nèi)存頻率，華碩p5wd2 premium主板采用了intel的955x+ich7r芯片組，支持1066/800/533的前端總線，支持ddr2800/667/533等多種規(guī)格的內(nèi)存。顯卡是華碩的6800標準版，顯存頻率為600mhz，核心頻率為350mhz。測試之間我們在測試過程中屏蔽了主板上的聲卡、網(wǎng)卡、及端口。在今后的測試中，隨著am2用戶的增多我們也會考慮引用amd平臺進行測試。
測試平臺
cpu intel p4 ee 3.46（超線程關閉）
主板 asus p5wd2-e(intel975x+ich7r)
內(nèi)存 創(chuàng)見 ddr2-800ecc 1024mb
hdd 希捷酷魚7200.9(7200rpm) 160gb sata
顯卡 華碩6800標準版
電源 航嘉磐石400
操作系統(tǒng) windowsxp英文＋sp2
依照以往的測試流程，將內(nèi)存插好點亮之后我們首先用cpu-z去檢查內(nèi)存的信息，具體信息如下：
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存spd信息
在cpu-z 1.35版的檢測中，moudule size的內(nèi)存容量為1024mbytes,頻率為pc6400(等同于ddr2-800),生產(chǎn)廠為transcend information，產(chǎn)品編號為ts128mlq72v8j及序列號為00000001，生產(chǎn)日期是06年第35周。在下欄的頻率及spd參數(shù)信息表中 ，可以看到新版的cpu-z增加了trc信息，頻率信息分為三組，分別是400mhz 5.0-5-5-16-21、266mhz 4.0-4-4-11-14、200mhz 3.0-3-3-8-11。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存頻率檢測
在bios中我們已經(jīng)將該內(nèi)存的時序設置為by spd,從上面的截圖可以看到在cpu-z的內(nèi)存頻率信息中該款創(chuàng)見ddr2 800ecc內(nèi)存的默認頻率是400.7mhz，fsb:dram的比值為2：3，默認時序為5.0-5-5-16剛好符合spd信息表中所設定的信息。在通道信息欄中顯示的是dual即雙通道。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
默認pcmark05內(nèi)存測試
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
默認superpi 1m測試，點擊放大
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
everest內(nèi)存帶寬測試
說句實話，筆者是初次試用采用鎂光d9顆粒的內(nèi)存。這款內(nèi)存的d9顆粒是網(wǎng)上大家談到超頻性能一般的小d9顆粒，況且這款內(nèi)存又是帶有ecc效驗顆粒的服務器內(nèi)存，再加上單條內(nèi)存的容量為1gb，在超頻之前夾雜的前面說到的這些因素讓筆者對本次超頻并不抱有希望。
按照網(wǎng)上流傳的超頻經(jīng)驗采用鎂光d9顆粒的內(nèi)存條需要加高壓才能發(fā)揮它優(yōu)秀的性能，當電壓加到2.3v以上時性能全面爆發(fā)。想到這個特點筆者突然想到了在ddr時代著名的bh-5顆粒，曾經(jīng)輝煌一時的bh-5也就是憑借在3.2v以上的高壓將內(nèi)存顆粒的性能充分壓榨出來。
小試牛刀 輕松超頻至ddr2 1066
asus p5wd2-e主板的內(nèi)存電壓高可以支持到2.4v筆者感覺對于目前的ddr2內(nèi)存這個電壓值已經(jīng)足夠高了，于是筆者將電壓加到2.3v。因為在異步模式下處理器在266mhz的外頻下高可以支持1066的內(nèi)存頻率所以我們將該內(nèi)存的頻率調(diào)至1066后保存bios信息并重啟，平臺輕松點亮，在進入系統(tǒng)之后我們用superpi 1m簡單測試了一下，可以順利通過。以上測試我們并沒有截圖。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
超頻測試截圖
再接再厲 穩(wěn)超ddr2 1100
在成功超頻ddr2 1066之后筆者對這款內(nèi)存的超頻產(chǎn)生了極大的興趣，它究竟可以超頻至多高？可以達到一個怎樣的時序？這些都是為解之謎。下面我們開始了令人難忘的超頻之旅。從上圖可以看到這款內(nèi)存已經(jīng)達到了ddr2 1100的頻率，5-4-4-15的時序比較中規(guī)中矩，superpi 1m的測試順利通過！在我們測試superpi 4m的時候運行到一般出現(xiàn)了報錯的現(xiàn)象，于是我們降低內(nèi)存頻率再次測試superpi 4m。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
superpi 4m測試
在降低到ddr2 1080這個頻率的時候superpi 4m測試成功跑過。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
ddr2 1080內(nèi)存讀取測試
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
ddr2 1080內(nèi)存寫入測試
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
ddr2 1080 sp2004測試
隨后我們使用sp2004進行了2小時左右的穩(wěn)定性測試，系統(tǒng)整體非常穩(wěn)定并沒有報錯、死機等現(xiàn)象出現(xiàn)。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
該內(nèi)存極限頻率
后經(jīng)過反復測試，這款內(nèi)存可以穩(wěn)定運行在ddr2 1080頻率下，時序為5-4-4-15。在ddr2 1066的頻率下可以跑4-4-4-12，這個頻率和參數(shù)對于小d9內(nèi)存顆粒來說還是比較理想的。除此之外，這款內(nèi)存的極限頻率為ddr2 1140,但是在這個頻率可以進入系統(tǒng)，并且能玩一些簡單的游戲，但是superpi的測試不能通過。在不加電壓（3.0v以下）的情況下1066的超頻基本都是失敗的，電壓2.2v-2.4v之間，對顆粒影響并不高，此我們的測試告一段落。
回到頂部閱讀測試總結：
此款創(chuàng)見ddr2 800ecc 1gb內(nèi)存做工出色，顆粒的挑選也十分考究，再加上其優(yōu)秀的超頻能力給我們zol評測室留下了深刻的印象。近期創(chuàng)見在媒體動作頻繁，這是我們在一個月之內(nèi)收到的第三款創(chuàng)見內(nèi)存，由此可見創(chuàng)見內(nèi)存進入diy市場的用意。除此之外，這款內(nèi)存的價格也是一般用戶所不能接受的，畢竟這款內(nèi)存是面向個人工作站及服務器領域的，所以2000元一根的售價并非每一位發(fā)燒友都可以享用，感興趣的朋友不妨考慮它的低容量版本。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存組圖
我們從網(wǎng)上搜集了一些采用鎂光d9顆粒內(nèi)存的資料僅供大家參考：
2x512mb：
corsair xms2 1gb (2 x 512mb) 240-pin ddr2 sdram unbuffered ddr2 1000 (pc2 8000) system memoryl
model #: twin2x1024-8000ul
corsair xms2 1gb (2 x 512mb) 240-pin ddr2 sdram unbuffered ddr2 800 (pc2 6400) dual channel kit system memory
model #: twin2x1024a-6400
ocz ddr2 pc2-5400 platinum enhanced bandwidth dual channel
2gb (2x1024) d/c kit pn – ocz26672048ebdcpe-k
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同時還有一款單路的hpe proliant dl325 gen10，16條插槽，總內(nèi)存也有1tb。
hpe透露，新內(nèi)存可以帶來16％的性能提升。
三星還透露，很快就會開始試產(chǎn)16gb die顆粒的256gb內(nèi)存條，使用四rank、八rank tsv技術，預計今年年底完成，可以為雙路服務器提供8tb的系統(tǒng)內(nèi)存。
三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球個開始量產(chǎn)基于16gb(2gb) die顆粒的新一代64gb ddr4 rdimm內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務應用。
三星表示，這條內(nèi)存的標準頻率為2666mhz，后續(xù)還可以輕松提升，同時功耗比兩條32gb的節(jié)省多達19％。
三星這種大容量內(nèi)存主要面向amd epyc服務器平臺，因為后者內(nèi)存擴展性能極佳，支持八通道，每路配16條內(nèi)存插槽，使用這種64gb內(nèi)存條的話，總容量就可以達到2tb。
據(jù)臺灣媒體報道，爾必達計劃投資30億元新臺幣（約9550萬美元）在臺灣投建研發(fā)中心。報道引自臺灣當局官員的表述稱，爾必達已經(jīng)向他們提出了補貼申請，以幫助投建該研發(fā)中心。為了獲得臺灣合作伙伴在產(chǎn)能上的支持，爾必達已經(jīng)向力晶半導體、華邦、茂德授權了有關dram處理工藝。
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以前提到服務器內(nèi)存條，大家往往會想到出色的做功和良好的穩(wěn)定性。事實確實如此，為了保障服務器或個人工作站的不間斷運行，服務器內(nèi)存在做功和用料上都不惜工本，價格也是普通用戶所無法接受的。近日，我們zol評測室收到了由創(chuàng)見廠商送測的一款ddr2 800ecc 1gb服務器專用內(nèi)存條，閑話少說讓我們先來飽飽眼福。
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內(nèi)存條正面
這款創(chuàng)見ddr2 800ecc 1gb內(nèi)存采用鎂光內(nèi)存顆粒，6層綠色pcb板與18顆（正反雙面）64mb內(nèi)存顆粒所組成，具備ecc（error correction code）內(nèi)存?zhèn)慑e技術，屬于工作站與服務器領域選用的高端產(chǎn)品。
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內(nèi)存條被面
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一種含有特殊電路，能夠自我檢查錯誤及更正的內(nèi)存，可自動修復0與1的訊號，在芯片內(nèi)以開/關在傳輸時的一些錯誤。相較常見的parity check除錯功能，ecc具備更高的可靠性。因為當數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤時，parity check只有50%的機會可以偵察得到，命中率不高，而ecc相對可以滿足高階使用者對數(shù)據(jù)可信度的需求。
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在內(nèi)存條左側貼有內(nèi)存規(guī)格標簽，標簽上面印有內(nèi)存容量1gb、規(guī)格ddr2 800mhz ecc、sn編號140095-0003、條形碼等信息。大家注意看在條形碼右側的rohs的英文，說明該產(chǎn)品不含有鉛的成份，符合歐盟的環(huán)保標準。右側貼有創(chuàng)見的鐳射防偽標簽，如果標簽撕毀將失去產(chǎn)品的質(zhì)保。
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顆粒特寫
大家都了解目前am2 k8處理器內(nèi)部集成ddr2內(nèi)存控制器，因此ddr2內(nèi)存超頻已成為國內(nèi)外發(fā)燒友討論的焦點話題。這款創(chuàng)見內(nèi)存所采用的是鎂光d9顆粒，采用fgba封裝，這個顆粒也正是目前各大論壇內(nèi)存超頻板塊討論的焦點，這個顆粒的性能到底怎樣呢？讓我們來一同揭開它的神秘面紗。
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作為標準的ddr2內(nèi)存的測試平臺，主要配件是一顆lga775接口intel p4 ee3.46g處理器，它的前端總線是1066mhz,512kb的l2,2mb的l3。主板我們使用的是華碩的p5wd2 premium，該款主板的特點是bios超頻調(diào)節(jié)選項比較豐富，在內(nèi)存異步條件下高可以支持ddr2 900的內(nèi)存頻率，華碩p5wd2 premium主板采用了intel的955x+ich7r芯片組，支持1066/800/533的前端總線，支持ddr2800/667/533等多種規(guī)格的內(nèi)存。顯卡是華碩的6800標準版，顯存頻率為600mhz，核心頻率為350mhz。測試之間我們在測試過程中屏蔽了主板上的聲卡、網(wǎng)卡、及端口。在今后的測試中，隨著am2用戶的增多我們也會考慮引用amd平臺進行測試。
測試平臺
cpu intel p4 ee 3.46（超線程關閉）
主板 asus p5wd2-e(intel975x+ich7r)
內(nèi)存 創(chuàng)見 ddr2-800ecc 1024mb
hdd 希捷酷魚7200.9(7200rpm) 160gb sata
顯卡 華碩6800標準版
電源 航嘉磐石400
操作系統(tǒng) windowsxp英文＋sp2
依照以往的測試流程，將內(nèi)存插好點亮之后我們首先用cpu-z去檢查內(nèi)存的信息，具體信息如下：
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存spd信息
在cpu-z 1.35版的檢測中，moudule size的內(nèi)存容量為1024mbytes,頻率為pc6400(等同于ddr2-800),生產(chǎn)廠為transcend information，產(chǎn)品編號為ts128mlq72v8j及序列號為00000001，生產(chǎn)日期是06年第35周。在下欄的頻率及spd參數(shù)信息表中 ，可以看到新版的cpu-z增加了trc信息，頻率信息分為三組，分別是400mhz 5.0-5-5-16-21、266mhz 4.0-4-4-11-14、200mhz 3.0-3-3-8-11。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存頻率檢測
在bios中我們已經(jīng)將該內(nèi)存的時序設置為by spd,從上面的截圖可以看到在cpu-z的內(nèi)存頻率信息中該款創(chuàng)見ddr2 800ecc內(nèi)存的默認頻率是400.7mhz，fsb:dram的比值為2：3，默認時序為5.0-5-5-16剛好符合spd信息表中所設定的信息。在通道信息欄中顯示的是dual即雙通道。
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鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
everest內(nèi)存帶寬測試
說句實話，筆者是初次試用采用鎂光d9顆粒的內(nèi)存。這款內(nèi)存的d9顆粒是網(wǎng)上大家談到超頻性能一般的小d9顆粒，況且這款內(nèi)存又是帶有ecc效驗顆粒的服務器內(nèi)存，再加上單條內(nèi)存的容量為1gb，在超頻之前夾雜的前面說到的這些因素讓筆者對本次超頻并不抱有希望。
按照網(wǎng)上流傳的超頻經(jīng)驗采用鎂光d9顆粒的內(nèi)存條需要加高壓才能發(fā)揮它優(yōu)秀的性能，當電壓加到2.3v以上時性能全面爆發(fā)。想到這個特點筆者突然想到了在ddr時代著名的bh-5顆粒，曾經(jīng)輝煌一時的bh-5也就是憑借在3.2v以上的高壓將內(nèi)存顆粒的性能充分壓榨出來。
小試牛刀 輕松超頻至ddr2 1066
asus p5wd2-e主板的內(nèi)存電壓高可以支持到2.4v筆者感覺對于目前的ddr2內(nèi)存這個電壓值已經(jīng)足夠高了，于是筆者將電壓加到2.3v。因為在異步模式下處理器在266mhz的外頻下高可以支持1066的內(nèi)存頻率所以我們將該內(nèi)存的頻率調(diào)至1066后保存bios信息并重啟，平臺輕松點亮，在進入系統(tǒng)之后我們用superpi 1m簡單測試了一下，可以順利通過。以上測試我們并沒有截圖。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
超頻測試截圖
再接再厲 穩(wěn)超ddr2 1100
在成功超頻ddr2 1066之后筆者對這款內(nèi)存的超頻產(chǎn)生了極大的興趣，它究竟可以超頻至多高？可以達到一個怎樣的時序？這些都是為解之謎。下面我們開始了令人難忘的超頻之旅。從上圖可以看到這款內(nèi)存已經(jīng)達到了ddr2 1100的頻率，5-4-4-15的時序比較中規(guī)中矩，superpi 1m的測試順利通過！在我們測試superpi 4m的時候運行到一般出現(xiàn)了報錯的現(xiàn)象，于是我們降低內(nèi)存頻率再次測試superpi 4m。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
superpi 4m測試
在降低到ddr2 1080這個頻率的時候superpi 4m測試成功跑過。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
ddr2 1080內(nèi)存讀取測試
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
ddr2 1080內(nèi)存寫入測試
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
ddr2 1080 sp2004測試
隨后我們使用sp2004進行了2小時左右的穩(wěn)定性測試，系統(tǒng)整體非常穩(wěn)定并沒有報錯、死機等現(xiàn)象出現(xiàn)。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
該內(nèi)存極限頻率
后經(jīng)過反復測試，這款內(nèi)存可以穩(wěn)定運行在ddr2 1080頻率下，時序為5-4-4-15。在ddr2 1066的頻率下可以跑4-4-4-12，這個頻率和參數(shù)對于小d9內(nèi)存顆粒來說還是比較理想的。除此之外，這款內(nèi)存的極限頻率為ddr2 1140,但是在這個頻率可以進入系統(tǒng)，并且能玩一些簡單的游戲，但是superpi的測試不能通過。在不加電壓（3.0v以下）的情況下1066的超頻基本都是失敗的，電壓2.2v-2.4v之間，對顆粒影響并不高，此我們的測試告一段落。
回到頂部閱讀測試總結：
此款創(chuàng)見ddr2 800ecc 1gb內(nèi)存做工出色，顆粒的挑選也十分考究，再加上其優(yōu)秀的超頻能力給我們zol評測室留下了深刻的印象。近期創(chuàng)見在媒體動作頻繁，這是我們在一個月之內(nèi)收到的第三款創(chuàng)見內(nèi)存，由此可見創(chuàng)見內(nèi)存進入diy市場的用意。除此之外，這款內(nèi)存的價格也是一般用戶所不能接受的，畢竟這款內(nèi)存是面向個人工作站及服務器領域的，所以2000元一根的售價并非每一位發(fā)燒友都可以享用，感興趣的朋友不妨考慮它的低容量版本。
鎂光顆粒 1gb創(chuàng)見ddr2-800內(nèi)存評測
內(nèi)存組圖
我們從網(wǎng)上搜集了一些采用鎂光d9顆粒內(nèi)存的資料僅供大家參考：
2x512mb：
corsair xms2 1gb (2 x 512mb) 240-pin ddr2 sdram unbuffered ddr2 1000 (pc2 8000) system memoryl
model #: twin2x1024-8000ul
corsair xms2 1gb (2 x 512mb) 240-pin ddr2 sdram unbuffered ddr2 800 (pc2 6400) dual channel kit system memory
model #: twin2x1024a-6400
ocz ddr2 pc2-5400 platinum enhanced bandwidth dual channel
2gb (2x1024) d/c kit pn – ocz26672048ebdcpe-k
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