對于變頻器一拖多的情況，為保護(hù)每個電機(jī)以及變頻器的設(shè)備安全，原則上必須在電機(jī)主回路安裝熱過載繼電器。對于熱過載繼電器的選型，遵循一般選型原則即可——電機(jī)的額定電流在熱過載繼電器的整定范圍以內(nèi)。在一臺變頻器驅(qū)動n臺電機(jī)的情況下，如果線路過長，可能存在比較大的分布電容，造成較大的高頻電流而導(dǎo)致變頻器過流、漏電流增加、電流顯示精度變低等。如果線路過長，需要采用輸出濾波器。以下以富士變頻器為例來進(jìn)行說明。3.7kw以下電機(jī)連線不得超過50米，3.7kw以上電機(jī)連線不得超過100米。驅(qū)動多臺電機(jī)時，應(yīng)按多個電動機(jī)配線總長來計算。設(shè)置或改變變頻器的運(yùn)行頻率，選擇何種設(shè)置方法由變頻器的功能參數(shù)值決定。1)和輸出最高電壓對應(yīng)的頻率。
2）輸出電壓等于額定電壓時的最小輸出頻率。絕大多數(shù)情況下，基本頻率都等于電動機(jī)的額定頻率。曲線。②最高頻率fmax：變頻器允許輸出的最高頻率。對應(yīng)最大給定信號的輸出頻率，大多數(shù)情況下最高頻率fmax等于基本把頻率fb。電動機(jī)在一定的場合應(yīng)用時，其轉(zhuǎn)速應(yīng)該在一定范圍內(nèi)，超出此范圍會造成或損失。上限頻率fh：允許變頻器輸出的最高頻率。下限頻率fl：允許變頻器輸出的最低頻率。變頻器驅(qū)動的電動機(jī)采用低頻起動，為了保證電動機(jī)正常起動而又不過流，變頻器須設(shè)定加速時間。電動機(jī)減速時間與其拖動的負(fù)載有關(guān)，有些負(fù)載對減速時間有嚴(yán)格要求（舉例）。igbt（insulatedgatebipolartransistor）。
絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt（雙極型三極管）和mos（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；mosfet驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600v及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1所示為一個n溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，n區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。n區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。
在漏、源之間的p型區(qū)（包括p和p一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的p區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（draininjector），它是igbt特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成pnp雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。
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